Альтернативные источники питания и их деградационная устойчивость в условиях чрезвычайных ситуаций техногенных характера
Аннотация
В работе исследована актуальная научно-практическая задача сферы гражданской защиты, а именно возможность бесперебойного функционирования систем аварийного противодействия в условиях ограниченного электроснабжения за счет использования альтернативных источников питания. В ходе решения поставленной научно-практической задачи проведен анализ современного состояния солнечных элементов для использования в качестве резервного электропитания систем аварійного противодействия.
Установлено, что тонкопленочные солнечные элементы на основе теллурида кадмия (CdTe) p-типа проводимости являются перспективными солнечными элементами в условиях наземного применения. Они имеют самый высокий среди однопереходных фотоэлектрических преобразователей теоретический коэффициент полезного действия – 29%. Для установления продолжительности их использования в качестве резервного электропитания систем аварийного противодействия проведен анализ деградационной устойчивости СЭ основе теллурида кадмия (CdTe) p-типа проводимости. Путем аналитической обработки световых вольт-амперных характеристик были проанализированы выходные и световые диодные характеристики СЭ на основе CdS / CdTe пригодных для использования в качестве источника электропитания систем аварийной противодействия. Анализ световых диодных характеристики исследуемых СЭ сначала эксплуатации улучшаются, а после 7 ¬- 8 лет ухудшаются и возвращаются почти к своим значений в исходном состоянии. Установлено, что после 8 лет эксплуатации величина КПД СЭ SnO2: F / CdS / CdTe / Cu / ITO практически совпадает с исходным значением, что свидетельствует о высокой деградационной устойчивости полученных гетеросистем. Выявленные различия в исходных параметрах и световых диодных характеристиках СЭ SnO2: F / CdS / CdTe / Cu / ITO при освещении со стороны стеклянной подложки и со стороны прозрачного тыльной электрода, обусловлены влиянием тыльной диода на эффективность фотоэлектрических процессов в базовом слое.
